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Die BeMiTec AG produziert Leistungstransistoren auf der Basis von Gallium-Nitrid (GaN) für Leistungsanwendungen im Bereich des L-Bands. Als Prototyp wird ein Transistor mit 20 W Ausgangsleistung (bei 2 GHz) angeboten. X-Band Leistungs-MMICs sind in Vorbereitung.

Der Einbau der diskreten Leistungstransistoren erfolgt in ein geeignetes Standard-Mikrowellengehäuse von Kyocera. Andere Gehäusespezifikationen sind möglich.

Um die maximale Ausgangsleistung der Transistoren realisieren zu können, müssen Ein- und Ausgang mit optimierten Impedanzen beschaltet werden. Dies erfordert umfangreiches messtechnisches Equipment (Load-Pull Messtechnik). Zur einfachen Messbarkeit der Transistoren beim Kunden ist ein Evaluierungsboard verfügbar. Damit können die Eigenschaften der Transistoren in einer 50 Ohm-Umgebung getestet werden.

Datenblatt 20 W S-Band-Leistungstransistoren

 
   
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